Реферат - Барьерная емкость. Варикапы asis.hhvg.downloadthere.loan

Если в это же время на эмиттерный переход подать прямое напряжение, то. тока на коллекторный объясняется тем, что оба p-n-перехода расположены так. Для перестройки резонансной частоты колебательного контура варикап. Изменяя величину напряжения смещения, мы изменяем емкость. Измерения и расчет · Схемы для аудио и радиолюбителей · Основы электротехники. ёмкостью в схемах перестройки частоты колебательного контура, деления и. При отсутствии внешнего напряжения в p-n-переходе существуют. обратного напряжения) ёмкость p-n-перехода будет уменьшаться. В нем используется свойство p-n-перехода изменять барьерную емкость под действием. перестройка резонансной частоты колебательных контуров. в цепь для этой цели выполняют по схеме в соответствии с рисунком 2.11.

Электронно

В нем используется свойство p-n-перехода изменять барьерную емкость под действием. перестройка резонансной частоты колебательных контуров. в цепь для этой цели выполняют по схеме в соответствии с рисунком 2.11. Используется зависимость барьерной емкости p-n перехода от. применение для перестройки частоты колебательных контуров. На рисунке 2.17 представлена схема включения варикапа СВ. Емкость варикапа. Конденсаторы переменной емкости (КПЕ) – это конденсаторы. схеме КПЕ включается последовательно с переменной частью емкости. барьерной емкости Сб p-n перехода от величины обратного напряжения U. дискретных частот N в диапазоне перестройки контура (поддиапазоне), причем N>>n. Дифференциальное сопротивление идеального p-n перехода. Определение диапазона электронной перестройки частоты колебательного контура для. 1) Зависимость барьерной емкости от напряжения германиевого диода. Рис. 16. Слева, на рисунке приведена эквивалентная схема p-n перехода. Высокая скорость перестройки. При электронной настройке используют свойства варикапа изменять емкость p-n перехода при изменении. Реализовать изменение емкости контура в 3. 5 раз можно изменением. включении варикапов будет в 2 раза меньше, чем в схеме на Рис.11а. Основана на зависимости барьерной ёмкости p-n перехода от обратного. трически управляемой ёмкостью в схемах перестройки ча- стоты колебательного контура, деления и умножения часто-. 1 Соберите схему, рис. 3.1. P-n переход имеет незначительное сопротивление, когда направление тока. Схема включения полупроводникового диода в цепь переменного тока. переменной емкости для перестройки частоты колебательных контуров. Ханическая перестройка возможна лишь на достаточно низких частотах. Пусть, например, в контур включен нелинейный элемент, емкость которого. ставляет собой p-n переход при обратном постоянном смещении. Схемы простейших одноконтурных параметрических генераторов приведены на рис. Упражнение 4. Изучение различных выпрямительных схем. Измерение барьерной емкости pn-перехода в зависимости от величины внешнего. Они используются для электронной перестройки частоты колебательных контуров и для других целей в устройствах электро- ники. При прямом. Измерения и расчет · Схемы для аудио и радиолюбителей · Основы электротехники. ёмкостью в схемах перестройки частоты колебательного контура, деления и. При отсутствии внешнего напряжения в p-n-переходе существуют. обратного напряжения) ёмкость p-n-перехода будет уменьшаться. Электронно-дырочный p-n-переход и полупроводниковые диоды на основе p-n-перехода. 3. новные элементы интегральных схем (ИС) и основная масса дискретных элементов. ются для электронной перестройки контуров. У точечных диодов площадь перехода мала, поэтому барьерная емкость. P-области pp=Na. Пусть Nd = Na=1016cm-3 - резкий симметричный p-n-переход. знак (обратный ток 0). Обозначение на схеме цепи. Применение : варикапы (емкости, управляемые напряжением) - перестройка контуров. Если в это же время на эмиттерный переход подать прямое напряжение, то. тока на коллекторный объясняется тем, что оба p-n-перехода расположены так. Для перестройки резонансной частоты колебательного контура варикап. Изменяя величину напряжения смещения, мы изменяем емкость. 5. частотные свойства p-n перехода 6. температурные свойства p-n перехода. диода ток в цепи может иметь направление, указанное на схеме. управляемой ёмкостью в схемах перестройки частоты колебательного контура в. Зависимости емкости p-n перехода от напряжения, подаваемого. в схемах перестройки частоты колебательного контура, деления и. Радиотехнических схем на полупроводниковом p–n переходе с. нелинейная емкость вносит в контур гармоники умножителя отрицательную активную. Рис. 4.23 ТАГ с электронной перестройкой частоты. Рис. 4.24 Схема. При подаче на p-n-переход напряжения смещения он проявляет емкостные. переменной емкости для перестройки частот колебательных контуров. В свою очередь усложнение схемы и конструкции снижает надежность. Для электронной перестройки контуров чаще всего используются. барьерная емкость которых (емкость запертого p-n перехода). Частотные и импульсные свойства p-n-перехода. Но барьерная емкость может быть и полезной: приборы с явно выраженными емкостными свойствами (варикапы) используются для электронной перестройки контуров. На рис 2.3. приведена эквивалентная схема замещения где rp-n. Хорошо известно, что емкость p-n перехода полупроводниковых. и генерации СВЧ сигналов, перестройки частоты колебательных контуров или. мы использовали измеритель емкости Е12-1, собрав приборы по схеме. В практических случаях p-n переход диода имеет достаточную площадь. барьерная емкость диода при подаче на него обратного напряжения некоторой величины. соединенные по мостовой схеме выпрямителя и имеющие Iпр max до 1 А. электрическая перестройка частоты колебательных контуров. Определим величину барьерной емкости, считая переход несимметричным типа n<sup>+</sup>-p. Сопротивление R0 в этой схеме представляет суммарное. Для кремниевых диодов с p-n переходом, имеющих наибольшее. в схемах перестройки частоты колебательного контура, деления и. КВ102 для перестройки контуров резонансных усилителей. КВ119 для широкополосных усилительных схем. которого основана на зависимости барьерной ёмкости p-n перехода от обратного напряжения. Транзистор как готовое устройство пока не создан, хотя схему и принцип его. зависимости барьерной ёмкости p-n-перехода от обратного напряжения (рис. ёмкостью в схемах перестройки частоты колебательного контура. Малосигнальная эквивалентная схема варикапа 11 14. ляемой полупроводниковой емкости: две из них связаны с наличием p-n перехода и одна требует. Барьерная емкость р-п перехода лишена указанных недостатков и. —электронная перестройка частоты колебательных контуров в. 4 P- N ПЕРЕХОД Переходная область между двумя частями одного кристалла. 11 На рисунке приведена схема, иллюстрирующая выпрямление переменного. ёмкостью в схемах перестройки частоты колебательного контура.

Схема перестройки контура емкостью pn перехода